DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMTH10H010LCT
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET 100V 108A TO220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
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197 pcs
Precio de referencia
USD 1.7/pcs
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DMTH10H010LCT Descripción detallada

Número de pieza DMTH10H010LCT
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 108A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 53.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2592pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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