| Número de pieza | DMTH10H010SPS-13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.8A (Ta), 123A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4.468nF @ 50V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.5W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerDI5060-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB | Detalles |
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DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB | Detalles |
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DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | Detalles |
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DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R | Detalles |
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DMTH10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | Detalles |
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DMTH10H010SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T | Detalles |
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DMTH10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | Detalles |
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DMTH10H010SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50 | Detalles |
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DMTH10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 | Detalles |
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DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI | Detalles |
