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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › DMTH10H010LCT
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMTH10H010LCT
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET 100V 108A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMTH10H010LCT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
197 pcs
Referenzpreis
USD 1.7/pcs
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DMTH10H010LCT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMTH10H010LCT
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 108A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 53.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2592pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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