DMTH10H010SPSQ-13 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
DMTH10H010SPSQ-13 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
11.8A (Ta), 100A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
6V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
8.8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
56.4nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
4468pF @ 50V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.5W (Ta), 166W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PowerDI5060-8 |
Paket / Fall |
8-PowerTDFN |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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