DMN62D1LFD-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN62D1LFD-13
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	DMN62D1LFD-13
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	400mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.55nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 100mA, 4V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	X1-DFN1212-3
Paquete / caja	3-UDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DMN62D0LFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3	Detalles
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