DMN62D1LFD-13

DMN62D1LFD-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN62D1LFD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
364260 pcs
Referenzpreis
USD 0.0696/pcs
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DMN62D1LFD-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN62D1LFD-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 400mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.55nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 500mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 100mA, 4V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket X1-DFN1212-3
Paket / Fall 3-UDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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