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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › DMN62D0LFB-7
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMN62D0LFB-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DMN62D0LFB-7 Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
257270 pcs
Precio de referencia
USD 0.1035/pcs
Nuestro precio
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DMN62D0LFB-7 Descripción detallada

Número de pieza DMN62D0LFB-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.45nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 100mA, 4V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 3-X1DFN1006
Paquete / caja 3-UFDFN
Peso -
País de origen -

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