DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMN10H170SFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DMN10H170SFG-7 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
25000 pcs
Precio de referencia
USD 0.1938/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7 Descripción detallada

Número de pieza DMN10H170SFG-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870.7pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 122 mOhm @ 3.3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerDI3333-8
Paquete / caja 8-PowerWDFN
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA DMN10H170SFG-7