| Número de pieza | LND01K1-G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 9V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 330mA (Tj) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 5V |
| Vgs (Max) | +0.6V, -12V |
| Característica FET | Depletion Mode |
| Disipación de potencia (Máx) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 100mA, 0V |
| Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-5 |
| Paquete / caja | SC-74A, SOT-753 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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LND-7900 | EXSHINE | NEGATIVE VOLTAGE LOW DROPOUT REGULATORS | Detalles |
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LND01K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5 | Detalles |
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LND150K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | Detalles |
,TO-226_straightlead.jpg "LND150N3-G") |
LND150N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Detalles |
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LND150N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Detalles |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Detalles |
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LND150N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Detalles |
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LND150N3-G-P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Detalles |
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LND150N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 | Detalles |
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LND250K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | Detalles |
