| Artikelnummer | LND01K1-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 9V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 330mA (Tj) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 5V |
| Vgs (Max) | +0.6V, -12V |
| FET-Eigenschaft | Depletion Mode |
| Verlustleistung (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 100mA, 0V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-5 |
| Paket / Fall | SC-74A, SOT-753 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
LND-7900 | EXSHINE | NEGATIVE VOLTAGE LOW DROPOUT REGULATORS | Einzelheiten |
|
LND01K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5 | Einzelheiten |
 |
LND150K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | Einzelheiten |
,TO-226_straightlead.jpg "LND150N3-G") |
LND150N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Einzelheiten |
|
LND150N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Einzelheiten |
|
LND150N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Einzelheiten |
|
LND150N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Einzelheiten |
|
LND150N3-G-P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | Einzelheiten |
 |
LND150N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 | Einzelheiten |
 |
LND250K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | Einzelheiten |
