LND250K1-G

LND250K1-G - Microchip Technology

Número de pieza
LND250K1-G
Fabricante
Microchip Technology
Breve descripción
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
LND250K1-G Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
92787 pcs
Precio de referencia
USD 0.2884/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para LND250K1-G

LND250K1-G Descripción detallada

Número de pieza LND250K1-G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13mA (Tj)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1000 Ohm @ 500µA, 0V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23 (TO-236AB)
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA LND250K1-G