VS-P125 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	VS-P125
Teilstatus	Active
Struktur	Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3)
Anzahl der SCRs, Dioden	2 SCRs, 2 Diodes
Spannung - Aus Zustand	1200V
Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max)	-
Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max)	25A (DC)
Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max)	2V
Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max)	60mA
Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	357A, 375A
Aktuell - Halten (Ih) (Max)	130mA
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	8-PACE-PAK
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VS-100BGQ015HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ030	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ030HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ045	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ045HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ100	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA	Einzelheiten
VS-100BGQ100HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	Einzelheiten
VS-100MT060WDF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 121A 462W MTP	Einzelheiten
VS-100MT060WSP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	Einzelheiten
VS-100MT160P-P	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP	Einzelheiten