VS-P125 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-P125
État de la pièce	Active
Structure	Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3)
Nombre de thyristors, diodes	2 SCRs, 2 Diodes
Tension - État désactivé	1200V
Courant - Sur état (It (AV)) (Max)	-
Courant - Sur état (It (RMS)) (Max)	25A (DC)
Tension - Gate Trigger (Vgt) (Max)	2V
Courant - Gate Trigger (Igt) (Max)	60mA
Courant - Non Rep Surge 50, 60Hz (Itsm)	357A, 375A
Courant - Hold (Ih) (Max)	130mA
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	8-PACE-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-100BGQ015HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB	Détails
VS-100BGQ030	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB	Détails
VS-100BGQ030HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	Détails
VS-100BGQ045	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB	Détails
VS-100BGQ045HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB	Détails
VS-100BGQ100	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA	Détails
VS-100BGQ100HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	Détails
VS-100MT060WDF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 121A 462W MTP	Détails
VS-100MT060WSP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	Détails
VS-100MT160P-P	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP	Détails