VS-12TTS08PBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	VS-12TTS08PBF
Teilstatus	Active
Spannung - Aus Zustand	800V
Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1V
Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max)	15mA
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (Max)	1.2V
Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max)	8A
Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max)	12.5A
Aktuell - Halten (Ih) (Max)	30mA
Aktuell - Aus Status (Max)	50µA
Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	140A @ 50Hz
SCR-Typ	Standard Recovery
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VS-120NQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 45V 120A D-67	Einzelheiten
VS-121NQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 45V 120A D-67	Einzelheiten
VS-122NQ030PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 30V 120A D-67	Einzelheiten
VS-123NQ100PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 100V 120A D-67	Einzelheiten
VS-125NQ015PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 15V 125A D-67	Einzelheiten
VS-12B-NR-IM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten
VS-12B-NR-SM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten
VS-12B-NR-UC	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten
VS-12BU-NR-IM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten
VS-12BU-NR-SM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten