VS-12TTS08PBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-12TTS08PBF
État de la pièce	Active
Tension - État désactivé	800V
Tension - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1V
Courant - Gate Trigger (Igt) (Max)	15mA
Tension - Sur état (Vtm) (Max)	1.2V
Courant - Sur état (It (AV)) (Max)	8A
Courant - Sur état (It (RMS)) (Max)	12.5A
Courant - Hold (Ih) (Max)	30mA
Courant - Hors état (Max)	50µA
Courant - Non Rep Surge 50, 60Hz (Itsm)	140A @ 50Hz
Type SCR	Standard Recovery
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-220-3
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-120NQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 45V 120A D-67	Détails
VS-121NQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 45V 120A D-67	Détails
VS-122NQ030PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 30V 120A D-67	Détails
VS-123NQ100PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 100V 120A D-67	Détails
VS-125NQ015PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 15V 125A D-67	Détails
VS-12B-NR-IM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Détails
VS-12B-NR-SM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Détails
VS-12B-NR-UC	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Détails
VS-12BU-NR-IM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Détails
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