VS-123NQ100PBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	VS-123NQ100PBF
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	120A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	910mV @ 120A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	3mA @ 100V
Kapazität @ Vr, F	2650pF @ 5V, 1MHz
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	D-67 HALF-PAK
Lieferantengerätepaket	D-67
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VS-120NQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 45V 120A D-67	Einzelheiten
VS-121NQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 45V 120A D-67	Einzelheiten
VS-122NQ030PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 30V 120A D-67	Einzelheiten
VS-123NQ100PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 100V 120A D-67	Einzelheiten
VS-125NQ015PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 15V 125A D-67	Einzelheiten
VS-12B-NR-IM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten
VS-12B-NR-SM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten
VS-12B-NR-UC	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten
VS-12BU-NR-IM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten
VS-12BU-NR-SM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Einzelheiten