VS-123NQ100PBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	VS-123NQ100PBF
Stato parte	Active
Tipo diodo	Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente - Rettificato medio (Io)	120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	910mV @ 120A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	3mA @ 100V
Capacità @ Vr, F	2650pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D-67 HALF-PAK
Pacchetto dispositivo fornitore	D-67
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
VS-120NQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 45V 120A D-67	Dettagli
VS-121NQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 45V 120A D-67	Dettagli
VS-122NQ030PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 30V 120A D-67	Dettagli
VS-123NQ100PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 100V 120A D-67	Dettagli
VS-125NQ015PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE MODULE 15V 125A D-67	Dettagli
VS-12B-NR-IM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Dettagli
VS-12B-NR-SM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Dettagli
VS-12B-NR-UC	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Dettagli
VS-12BU-NR-IM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Dettagli
VS-12BU-NR-SM2	FUJITSU	POWER RELAY 1 POLE-15A	Dettagli