| Artikelnummer | SIHB35N60EF-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 97 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2568pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SIHB30N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V D2PAK | Einzelheiten |
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SIHB33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 | Einzelheiten |
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SIHB35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263 | Einzelheiten |
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