SIHB30N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHB30N60E-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIHB30N60AEL-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 600V D2PAK	Einzelheiten
SIHB30N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK	Einzelheiten
SIHB30N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK	Einzelheiten
SIHB33N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 33A TO-263	Einzelheiten
SIHB33N60EF-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 33A TO-263	Einzelheiten
SIHB33N60ET1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 33A TO263	Einzelheiten
SIHB33N60ET5-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 33A TO263	Einzelheiten
SIHB35N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263	Einzelheiten
SIHB35N60EF-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D2PAK TO-263	Einzelheiten