| Artikelnummer | SIA810DJ-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (Max) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SIA810DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 | Einzelheiten |
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