SIA817EDJ-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SIA817EDJ-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
P-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
4.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
600pF @ 15V |
| Vgs (Max) |
±12V |
| FET-Eigenschaft |
Schottky Diode (Body) |
| Verlustleistung (Max) |
1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
65 mOhm @ 3A, 10V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Paket / Fall |
PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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