SIA817EDJ-T1-GE3 Подробное описание
| номер части |
SIA817EDJ-T1-GE3 |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
P-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
4.5A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
23nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
600pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) |
±12V |
| Функция FET |
Schottky Diode (Body) |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
65 mOhm @ 3A, 10V |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Упаковка / чехол |
PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIA817EDJ-T1-GE3
