SIA811ADJ-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SIA811ADJ-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
P-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
4.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
13nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
345pF @ 10V |
| Vgs (Max) |
±8V |
| FET-Eigenschaft |
Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (Max) |
1.8W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
116 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Paket / Fall |
PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR SIA811ADJ-T1-GE3
