| Artikelnummer | SIA449DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2140pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 12A SC-70 | Einzelheiten |
|
SIA441DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 12A SC-70 | Einzelheiten |
|
SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | Einzelheiten |
|
SIA443DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | Einzelheiten |
|
SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A SC-70 | Einzelheiten |
 |
SIA444DJT-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SMD | Einzelheiten |
|
SIA445EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70 | Einzelheiten |
|
SIA445EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Einzelheiten |
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L | Einzelheiten |
|
SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L | Einzelheiten |
