SIA446DJ-T1-GE3

SIA446DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIA446DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
99622 pcs
Referenzpreis
USD 0.2584/pcs
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SIA446DJ-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIA446DJ-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 75V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 177 mOhm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6
Gewicht -
Ursprungsland -

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