SIA445EDJT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIA445EDJT-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	16.7 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	19W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Fall	PowerPAK® SC-70-6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SIA445EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 12A SC-70	Einzelheiten
	SIA445EDJT-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6	Einzelheiten