| Artikelnummer | SI2318DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.9A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
SI2310-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | Einzelheiten |
 |
SI2311DS | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI2311DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | Einzelheiten |
|
SI2311DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | Einzelheiten |
|
SI2312 | HJX | SI2312 HJX SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI2312-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | Einzelheiten |
|
SI2312BDS | VISHAY | SI2312BDS VISHAY SOT23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI2312BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | Einzelheiten |
|
SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | Einzelheiten |
|
SI2312CDS | VIS | SI2312CDS VIS SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
