SI2310-TP detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI2310-TP |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
3A |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
6nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
247pF @ 30V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
350mW |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
125 mOhm @ 3A, 4.5V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-23 |
Paket / Fall |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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