SI2310-TP - Micro Commercial Co

Artikelnummer	SI2310-TP
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	247pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	350mW
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 3A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI2018	SI	SI2018 SI QFN-16 New Original Stocks	Einzelheiten
SI2031	SI	SI2031 SI TSSOP1.. New Original Stocks	Einzelheiten
SI2032	SI	SI2032 SI QFN-12 New Original Stocks	Einzelheiten
SI21108DT-T1-E3	VISHAY	SI21108DT-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI2111-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN	Einzelheiten
SI2111-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN	Einzelheiten
SI2113-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-C 48-QFN	Einzelheiten
SI2113-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-C 48-QFN	Einzelheiten
SI2115-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T/C 48-QFN	Einzelheiten
SI2115-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T/C 48-QFN	Einzelheiten