SI2310-TP - Micro Commercial Co

Numéro d'article	SI2310-TP
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	247pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	350mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 3A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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SI2111-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN	Détails
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