SI2318DS-T1-GE3 Подробное описание
номер части |
SI2318DS-T1-GE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
40V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
3A (Ta) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
15nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
540pF @ 20V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
750mW (Ta) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 3.9A, 10V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
SOT-23-3 (TO-236) |
Упаковка / чехол |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI2318DS-T1-GE3