TPN2R805PL,L1Q detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
TPN2R805PL,L1Q |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
45V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
139A (Ta), 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
2.8 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 300µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
39nC @ 10V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3.2nF @ 22.5V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
2.67W (Ta), 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur |
175°C |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Fall |
8-PowerVDFN |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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