TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPN2R203NC,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TPN2R203NC,L1Q PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
55304 pcs
Referenzpreis
USD 0.4638/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPN2R203NC,L1Q
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 22.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR TPN2R203NC,L1Q