TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TPN2R805PL,L1Q
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
408357 pcs
参考価格
USD 0.4032/pcs
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TPN2R805PL,L1Q 詳細な説明

品番 TPN2R805PL,L1Q
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 45V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 139A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.4V @ 300µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 39nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3.2nF @ 22.5V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.67W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 175°C
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
重量 -
原産国 -

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