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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TPC8035-H(TE12L,QM
TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPC8035-H(TE12L,QM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TPC8035-H(TE12L,QM PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
TPC8035-H(TE12L,QM.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4234 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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TPC8035-H(TE12L,QM detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPC8035-H(TE12L,QM
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7800pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 9A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0)
Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

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