TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPC8031-H(TE12LQM)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4387 pcs
Referenzpreis
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TPC8031-H(TE12LQM) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPC8031-H(TE12LQM)
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 10V
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13.3 mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0)
Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

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