TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPC8035-H(TE12L,QM
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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4126 pcs
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TPC8035-H(TE12L,QM Description détaillée

Numéro d'article TPC8035-H(TE12L,QM
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7800pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / cas 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

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