TK560A60Y,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK560A60Y,S4X
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 240µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	30W
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	560 mOhm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK560A60Y,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD	Einzelheiten
TK560A65Y,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD	Einzelheiten
TK560P60Y,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD	Einzelheiten
TK560P65Y,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD	Einzelheiten