TK560P60Y,RQ

TK560P60Y,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK560P60Y,RQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
10000 pcs
Referenzpreis
USD 0.462/pcs
Unser Preis
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TK560P60Y,RQ detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK560P60Y,RQ
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 60W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 560 mOhm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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