TK560A60Y,S4X

TK560A60Y,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK560A60Y,S4X
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
500 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.35/pcs
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TK560A60Y,S4X Description détaillée

Numéro d'article TK560A60Y,S4X
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 30W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560 mOhm @ 3.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220SIS
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

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