SSM6N7002BFE,LM

SSM6N7002BFE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM6N7002BFE,LM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
424958 pcs
Referenzpreis
USD 0.0607/pcs
Unser Preis
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SSM6N7002BFE,LM detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM6N7002BFE,LM
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 200mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17pF @ 25V
Leistung max 150mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket ES6
Gewicht -
Ursprungsland -

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