SSM6J512NU,LF detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SSM6J512NU,LF |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
10A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
1.8V, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
19.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1400pF @ 6V |
Vgs (Max) |
±10V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.25W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
16.2 mOhm @ 4A, 8V |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
6-UDFNB (2x2) |
Paket / Fall |
6-WDFN Exposed Pad |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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