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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SSM6J414TU,LF
SSM6J414TU,LF

SSM6J414TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM6J414TU,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET P CH 20V 6A UF6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SSM6J414TU,LF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
142110 pcs
Referenzpreis
USD 0.1876/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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SSM6J414TU,LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM6J414TU,LF
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 22.5 mOhm @ 6A, 4.5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket UF6
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Gewicht -
Ursprungsland -

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