2SK3670(T6CANO,A,F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	2SK3670(T6CANO,A,F
Teilstatus	Last Time Buy
FET Typ	-
Technologie	-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92MOD
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2SK3670(F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	Einzelheiten
2SK3670(T6CANO,A,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	Einzelheiten
2SK3670(T6CANO,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	Einzelheiten
2SK3670,F(J	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	Einzelheiten
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