| Numero di parte | 2SK3670(T6CANO,A,F |
|---|---|
| Stato parte | Last Time Buy |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2SK3670(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | Dettagli |
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2SK3670(T6CANO,A,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | Dettagli |
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2SK3670(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | Dettagli |
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2SK3670,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | Dettagli |
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2SK3670,F(M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | Dettagli |
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