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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › 2SK3670(F,M)
2SK3670(F,M)

2SK3670(F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SK3670(F,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SK3670(F,M) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
2SK3670(F,M).pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4256 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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2SK3670(F,M) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SK3670(F,M)
Teilstatus Last Time Buy
FET Typ -
Technologie -
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C -
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92MOD
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gewicht -
Ursprungsland -

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