2SB1457,T6YMEF(M - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	2SB1457,T6YMEF(M
Teilstatus	Last Time Buy
Transistor-Typ	PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 1mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 1A, 2V
Leistung max	900mW
Frequenz - Übergang	50MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Lieferantengerätepaket	TO-92MOD
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2SB1451	ROHM	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE	Einzelheiten
2SB1457(T6CANO,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Einzelheiten
2SB1457(T6CNO,A,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Einzelheiten
2SB1457(T6DW,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Einzelheiten
2SB1457(TE6,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Einzelheiten
2SB1457,T6TOTOF(J	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Einzelheiten
2SB1457,T6YMEF(M	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Einzelheiten