2SB1457,T6YMEF(M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	2SB1457,T6YMEF(M
État de la pièce	Last Time Buy
Type de transistor	PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 1mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	10µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 1A, 2V
Puissance - Max	900mW
Fréquence - Transition	50MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Package de périphérique fournisseur	TO-92MOD
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2SB1451	ROHM	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE	Détails
2SB1457(T6CANO,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Détails
2SB1457(T6CNO,A,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Détails
2SB1457(T6DW,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Détails
2SB1457(TE6,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Détails
2SB1457,T6TOTOF(J	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Détails
2SB1457,T6YMEF(M	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 100V TO226-3	Détails