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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2SB1457(TE6,F,M)
2SB1457(TE6,F,M)

2SB1457(TE6,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SB1457(TE6,F,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SB1457(TE6,F,M) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
2SB1457(TE6,F,M).pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4196 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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2SB1457(TE6,F,M) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SB1457(TE6,F,M)
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 1A, 2V
Leistung max 900mW
Frequenz - Übergang 50MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Lieferantengerätepaket TO-92MOD
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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