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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TSM2N100CH C5G
TSM2N100CH C5G

TSM2N100CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer
TSM2N100CH C5G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TSM2N100CH C5G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
166312 pcs
Referenzpreis
USD 0.99/pcs
Unser Preis
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TSM2N100CH C5G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TSM2N100CH C5G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 77W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251 (IPAK)
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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