TSM2N100CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	TSM2N100CH C5G
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	625pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	77W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-251 (IPAK)
Упаковка / чехол	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TSM2N100CH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251	подробности
TSM2N100CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252	подробности
TSM2N60	TSC	600V N-Channel Power MOSFET	подробности
TSM2N60CH	TSC	600V N-Channel Power MOSFET	подробности
TSM2N60CP	TSC	600V N-Channel Power MOSFET	подробности
TSM2N60CPRO	TW	TSM2N60CPRO TW SOT-25.. New Original Stocks	подробности
TSM2N60CZ	TSC	600V N-Channel Power MOSFET	подробности
TSM2N60ECH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251	подробности
TSM2N60ECP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252	подробности
TSM2N60S	TSC	600V N-Channel Power MOSFET	подробности